In der Arbeitsgruppe wird in einem von der DFG geförderten Projekt untersucht, wie Graphen (eine einzelne Lage Graphit) auf der atomaren Skala mit Metallkontakten wechselwirkt. Diese Zusammenhänge zu verstehen ist eines der wesentlichen Voraussetzungen für den Einsatz von Graphen in elektronischen Bauelementen.
Die Hauptarbeitsmethode ist in diesem Projekt die Rastertunnelmikropskopie in Ultrahochvakuum und bei tiefen Temperaturen (flüssig Helium (4 K), fl. Stickstoff (77 K)). Als Proben dienen SiC-Wafer, auf deren Oberfläche durch Siliziumverarmung sogenanntes "epitaktisches Graphen" erzeugt wurde. Mit Hilfe des Rastertunnelmikroskops und seiner Spektroskopiemethoden lassen sich die elektrostatischen Potentialverhältnisse in der Umgebung der Kontakte sowie die elektronische Kopplung zwischen Metall und Graphen untersuchen. Ein Metall kann sich auch in der Grenzfläche zwischen dem SiC Substrat und der eigentlichen Graphenschicht anlagern (Interkalation), was wiederum zu neuen Effekten führt.
Im Rahmen einer Bachelorarbeit könnte im Wesentlichen die Morphologie von aufgebrachten oder interkalierten Metallschichten oder -inseln und die Stärke der Bindung eines bestimmten Metalls untersucht werden. Im Rahmen einer Masterarbeit würden verschiedene Metalle verglichen und die elektronischen Eigenschaften von Metallschichten auf Graphen untersucht werden.